Sifat Listrik Kapasitor MOS dengan Oksida Strontium Titanat (SrTiO3)

Hadi Kurniawan

Abstract


Telah dilakukan pengujian pada semikonduktor kapasitor metal oksida(MOS) dengan bahan oksida Strontium Titanat (SrTiO3) yang disintesis menggunakan metode chemical bath deposition (CBD) dengan substrat silicon kristal. Oksida strontium titanat adalah oksida yang memiliki nilai dielektrisitas yang tinggi. Hasil penelitian menunjukkan bahwa deposisi lapisan oksida berada pada ketebalan 200 nm, dan didapatkan kapasitansi terbesar 304 pF pada oksida dengan ketebalan 33,34 nm dan luas substrat 0,7 cm2
Keyword : Capacitance, Metal Oxide Semiconductor (MOS), Strontium Titanat (SrTiO3), Dielectric Constanta.

Keywords


Capacitance; Metal Oxide Semiconductor (MOS); Strontium Titanat (SrTiO₃); Dielectric Constanta

Full Text:

PDF


DOI: http://dx.doi.org/10.22373/crc.v1i1.305

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


Copyright (c) 2015 CIRCUIT



              

 

Circuit: Jurnal Ilmiah Pendidikan Teknik Elektro
P-ISSN 2549-3698
E-ISSN 2549-3701
Published by Electrical and Engineering Education Department, Education and Teacher Training Faculty, Universitas Islam Negeri Ar-Raniry Banda Aceh, Indonesia
Email: jurnal.circuit@ar-raniry.ac.id 

Creative Commons License
Circuit: Jurnal Ilmiah Pendidikan Teknik Elektro is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.